Наблюдаем характеристики транзисторов при помощи осциллографа

На рисунке 1, а изображена схема приставки для наблюдения на экране осциллографа характеристик транзисторов. Переменный резистор R1 предназначен для регулировки тока базы. К экрану прикладывают лист кальки и обводят характеристику.

Типичная характеристика коллекторного перехода показана на рис. 1, б. Вертикальная ось - ток коллектора, горизонтальная - напряжение коллектора. Наклон кривой определяет область насыщения.

Рис. 1. Приставка к осциллографу для наблюдения характеристик транзисторов:

а - принципиальная электрическая схема для транзисторов р-п-р, а для п-р-п следует поменять полярность включения элементов Б и Д1; б - основная характеристика; в - семейство характеристик.

На горизонтальной части кривой выбирают рабочую точку для усилителя класса А. На рис. 1, в кроме линии горизонтальной развертки 1 изображена характеристика обратного тока коллектора при токе базы 1, равном нулю (кривая 2), а также выходные характеристики при токах базы 0,2... 1 мА.

Характеристики, полученные с помощью осциллографа, можно сравнить с приведенными в справочниках.

Транзисторы, предназначенные для работы в двухтактных каскадах, должны иметь близкие параметры. В нашем примере показан транзистор структуры п-р-п, включенный по схеме ОЭ. Так же можно исследовать и р-п-р транзистор, соответствующим образом подключив его к приставке (в схемах ОЭ, ОБ или ОК),

Литература: В. Г. Бастанов. 300 практических советов, 1986г.